Ge condensation for the fabrication of fully strained and defect-free planar Si0.5Ge0.5 layers on silicon - Aix-Marseille Université
Communication Dans Un Congrès Année : 2016

Ge condensation for the fabrication of fully strained and defect-free planar Si0.5Ge0.5 layers on silicon

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Micro et nanotechnologies/Microélectronique

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https://amu.hal.science/hal-01454802

Soumis le : vendredi 3 février 2017-09:26:58

Dernière modification le : lundi 10 juin 2024-16:58:03

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Dates et versions

hal-01454802 , version 1 (03-02-2017)

Identifiants

  • HAL Id : hal-01454802 , version 1

Citer

T. David, K. Liu, Luc Favre, A. Ronda, Marco Abbarchi, et al.. Ge condensation for the fabrication of fully strained and defect-free planar Si0.5Ge0.5 layers on silicon. International Conference on Nanostructures and nanomaterials self-assembly (NanoSEA), Jul 2016, Griadini Naxos, Italy. ⟨hal-01454802⟩

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