Strain distribution induced in SOI photonic substrate by TSVs, using advanced X- ray nano-diffraction - Aix-Marseille Université
Communication Dans Un Congrès Année : 2016

Strain distribution induced in SOI photonic substrate by TSVs, using advanced X- ray nano-diffraction

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Micro et nanotechnologies/Microélectronique

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https://amu.hal.science/hal-01454828

Soumis le : vendredi 3 février 2017-09:37:31

Dernière modification le : lundi 10 juin 2024-16:58:03

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Dates et versions

hal-01454828 , version 1 (03-02-2017)

Identifiants

  • HAL Id : hal-01454828 , version 1

Citer

S. Escoubas, B. Vianne, M.I. Richard, V. Fiori, A. Farcy, et al.. Strain distribution induced in SOI photonic substrate by TSVs, using advanced X- ray nano-diffraction. Materials for Advanced Metallization, MAM 2016, Mar 2016, Brussels, Belgium. ⟨hal-01454828⟩

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