Impact of Resistive Paths on NVM Array Reliability: Application to Flash & ReRAM Memories - Aix-Marseille Université

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Communication Dans Un Congrès Année : 2016

Impact of Resistive Paths on NVM Array Reliability: Application to Flash & ReRAM Memories

(1) , (1) , (1)

1

P. Canet

Fonction : Auteur
PersonId : 18716
IdHAL : pierre-canet

Institut des Matériaux, de Microélectronique et des Nanosciences de Provence

J. Postel-Pellerin

Fonction : Auteur
PersonId : 18579
IdHAL : jeremy-postel-pellerin
ORCID : 0000-0002-4094-0190
IdRef : 134636317

Institut des Matériaux, de Microélectronique et des Nanosciences de Provence

Hassen Aziza

Fonction : Auteur
PersonId : 177966
IdHAL : azizah
ORCID : 0000-0002-8278-7462
IdRef : 085275581

Institut des Matériaux, de Microélectronique et des Nanosciences de Provence

Domaines

Micro et nanotechnologies/Microélectronique

IM2NP Bibliométrie : Connectez-vous pour contacter le contributeur

https://amu.hal.science/hal-01463140

Soumis le : jeudi 9 février 2017-14:01:22

Dernière modification le : lundi 10 juin 2024-16:58:03

Dates et versions

hal-01463140 , version 1 (09-02-2017)

Identifiants

HAL Id : hal-01463140 , version 1

Citer

P. Canet, J. Postel-Pellerin, Hassen Aziza. Impact of Resistive Paths on NVM Array Reliability: Application to Flash & ReRAM Memories. 27th European Symposium on Reliability of Electron Devices, Failure Physics and Analysis (ESREF 2016), Sep 2016, Halle, Germany. ⟨hal-01463140⟩

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