Study of the microstructure and stress induced during the crystallization of GeTe thin films - Aix-Marseille Université
Communication Dans Un Congrès Année : 2017

Study of the microstructure and stress induced during the crystallization of GeTe thin films

M. Gallard
  • Fonction : Auteur
M.S. Amara
  • Fonction : Auteur
F. Lauraux
  • Fonction : Auteur
C. Guichet
  • Fonction : Auteur
S. Escoubas
Institut des Matériaux, de Microélectronique et des Nanosciences de Provence
M.-I. Richard
Institut des Matériaux, de Microélectronique et des Nanosciences de Provence
CV
C. Mocuta
P. Noé
  • Fonction : Auteur
C. Sabbione
  • Fonction : Auteur
F. Hippert
Magali Putero
Institut des Matériaux, de Microélectronique et des Nanosciences de Provence
N. Burle
  • Fonction : Auteur
O. Thomas
  • Fonction : Auteur
Institut des Matériaux, de Microélectronique et des Nanosciences de Provence

Domaines

Micro et nanotechnologies/Microélectronique

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https://amu.hal.science/hal-01781812

Soumis le : lundi 30 avril 2018-17:19:31

Dernière modification le : lundi 10 juin 2024-16:58:03

Fichier non déposé

Dates et versions

hal-01781812 , version 1 (30-04-2018)

Identifiants

  • HAL Id : hal-01781812 , version 1

Citer

M. Gallard, M.S. Amara, F. Lauraux, C. Guichet, S. Escoubas, et al.. Study of the microstructure and stress induced during the crystallization of GeTe thin films. E/PCOS 2017, European Phase Change and Ovonics Symposium, Sep 2017, Aachen, Germany. ⟨hal-01781812⟩

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