Influence of band structure on electron ballistic transport in silicon nanowire MOSFET’s: An atomistic study - Aix-Marseille Université
Article Dans Une Revue Solid-State Electronics Année : 2006

Influence of band structure on electron ballistic transport in silicon nanowire MOSFET’s: An atomistic study

Domaines

Micro et nanotechnologies/Microélectronique

Jean-Luc Autran  : Connectez-vous pour contacter le contributeur

https://amu.hal.science/hal-02132134

Soumis le : jeudi 16 mai 2019-18:21:15

Dernière modification le : lundi 10 juin 2024-16:58:03

Consulter sur la plateforme ISTEX

Dates et versions

hal-02132134 , version 1 (16-05-2019)

Identifiants

Citer

K. Nehari, N. Cavassilas, Jean-Luc Autran, M. Bescond, Daniela Munteanu, et al.. Influence of band structure on electron ballistic transport in silicon nanowire MOSFET’s: An atomistic study. Solid-State Electronics, 2006, 50 (4), pp.716-721. ⟨10.1016/j.sse.2006.03.041⟩. ⟨hal-02132134⟩

Exporter

BibTeX XML-TEI Dublin Core DC Terms EndNote DataCite

Collections

UNIV-TLN CNRS UNIV-AMU IM2NP
23 Consultations
0 Téléchargements

Altmetric

Partager

More