Direct observation of Ni decorated dislocation loops within As+-implanted silicon and arsenic clustering in Ni silicide contact - Aix-Marseille Université
Article Dans Une Revue Microelectronic Engineering Année : 2013

Direct observation of Ni decorated dislocation loops within As+-implanted silicon and arsenic clustering in Ni silicide contact

Domaines

Science des matériaux [cond-mat.mtrl-sci]

Alain Portavoce  : Connectez-vous pour contacter le contributeur

https://amu.hal.science/hal-02385371

Soumis le : jeudi 28 novembre 2019-17:31:23

Dernière modification le : lundi 10 juin 2024-16:58:03

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Dates et versions

hal-02385371 , version 1 (28-11-2019)

Identifiants

Citer

Khalid Hoummada, Gamra Tellouche, Ivan Blum, Alain Portavoce, Marion Descoins, et al.. Direct observation of Ni decorated dislocation loops within As+-implanted silicon and arsenic clustering in Ni silicide contact. Microelectronic Engineering, 2013, 107, pp.184-189. ⟨10.1016/j.mee.2012.12.008⟩. ⟨hal-02385371⟩

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