B diffusion in implanted Ni2Si and NiSi layers - Aix-Marseille Université
Article Dans Une Revue Applied Physics Letters Année : 2010

B diffusion in implanted Ni2Si and NiSi layers

Domaines

Science des matériaux [cond-mat.mtrl-sci]

Alain Portavoce  : Connectez-vous pour contacter le contributeur

https://amu.hal.science/hal-02386108

Soumis le : vendredi 29 novembre 2019-10:51:32

Dernière modification le : mardi 3 septembre 2024-11:16:05

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Dates et versions

hal-02386108 , version 1 (29-11-2019)

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Citer

I. Blum, A. Portavoce, L. Chow, D. Mangelinck, K. Hoummada, et al.. B diffusion in implanted Ni2Si and NiSi layers. Applied Physics Letters, 2010, 96 (5), pp.054102. ⟨10.1063/1.3303988⟩. ⟨hal-02386108⟩

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