Article Dans Une Revue
Journal of Applied Physics
Année : 2008
Alain Portavoce : Connectez-vous pour contacter le contributeur
https://amu.hal.science/hal-02386151
Soumis le : vendredi 29 novembre 2019-11:03:11
Dernière modification le : mardi 3 septembre 2024-11:16:05
Citer
Ivan Blum, A. Portavoce, D. Mangelinck, R. Daineche, K. Hoummada, et al.. Lattice and grain-boundary diffusion of As in Ni2Si. Journal of Applied Physics, 2008, 104 (11), pp.114312. ⟨10.1063/1.3035836⟩. ⟨hal-02386151⟩
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