Black silicon (BS) using room-temperature reactive ion etching (RT-RIE) for interdigitated back contact (IBC) silicon solar cells - Aix-Marseille Université
Communication Dans Un Congrès Année : 2019

Black silicon (BS) using room-temperature reactive ion etching (RT-RIE) for interdigitated back contact (IBC) silicon solar cells

Domaines

Optique / photonique Micro et nanotechnologies/Microélectronique Matériaux

Judikaël Le Rouzo  : Connectez-vous pour contacter le contributeur

https://amu.hal.science/hal-02450871

Soumis le : jeudi 23 janvier 2020-10:30:36

Dernière modification le : lundi 10 juin 2024-16:58:03

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Dates et versions

hal-02450871 , version 1 (23-01-2020)

Identifiants

Citer

Francois Atteia, Judikaël Le Rouzo, Gérard Berginc, Jean-Jacques Simon, Ludovic Escoubas. Black silicon (BS) using room-temperature reactive ion etching (RT-RIE) for interdigitated back contact (IBC) silicon solar cells. Physics, Simulation, and Photonic Engineering of Photovoltaic Devices VIII, Feb 2019, San Francisco, France. pp.29, ⟨10.1117/12.2509326⟩. ⟨hal-02450871⟩

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