Impurity Gettering by Boron‐ and Phosphorus‐Doped Polysilicon Passivating Contacts for High‐Efficiency Multicrystalline Silicon Solar Cells - Aix-Marseille Université
Article Dans Une Revue Physica Status Solidi A (applications and materials science) Année : 2019

Impurity Gettering by Boron‐ and Phosphorus‐Doped Polysilicon Passivating Contacts for High‐Efficiency Multicrystalline Silicon Solar Cells

Maxim Hayes
  • Fonction : Auteur
Benoit Martel
  • Fonction : Auteur
Giri Wahyu Alam
  • Fonction : Auteur
Hélène Lignier
  • Fonction : Auteur
Sébastien Dubois
  • Fonction : Auteur
  • PersonId : 1047907
  • IdRef : 159358787
Etienne Pihan
  • Fonction : Auteur
Fichier non déposé

Dates et versions

hal-03350049 , version 1 (21-09-2021)

Identifiants

Citer

Maxim Hayes, Benoit Martel, Giri Wahyu Alam, Hélène Lignier, Sébastien Dubois, et al.. Impurity Gettering by Boron‐ and Phosphorus‐Doped Polysilicon Passivating Contacts for High‐Efficiency Multicrystalline Silicon Solar Cells. Physica Status Solidi A (applications and materials science), 2019, 216 (17), pp.1900321. ⟨10.1002/pssa.201900321⟩. ⟨hal-03350049⟩
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