Communication Dans Un Congrès
Année : 2016
IM2NP Bibliométrie : Connectez-vous pour contacter le contributeur
https://amu.hal.science/hal-01452239
Soumis le : mercredi 1 février 2017-17:02:32
Dernière modification le : mardi 5 décembre 2023-18:08:07
Dates et versions
Identifiants
- HAL Id : hal-01452239 , version 1
Citer
M.G. Tsoutsouva, T. Riberi – Béridot, G. Regula, G. Reinhart, J. Baruchel, et al.. In situ synchrotron based investigation of grain kinetics and defects during silicon crystal growth. EDS (Extended Defects in Semiconductors) 2016, Sep 2016, Les Issambres, France. ⟨hal-01452239⟩
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