In situ synchrotron based investigation of grain kinetics and defects during silicon crystal growth - Aix-Marseille Université
Communication Dans Un Congrès Année : 2016

In situ synchrotron based investigation of grain kinetics and defects during silicon crystal growth

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https://amu.hal.science/hal-01452239

Soumis le : mercredi 1 février 2017-17:02:32

Dernière modification le : lundi 10 juin 2024-16:58:03

Fichier non déposé

Dates et versions

hal-01452239 , version 1 (01-02-2017)

Identifiants

  • HAL Id : hal-01452239 , version 1

Citer

M.G. Tsoutsouva, T. Riberi – Béridot, G. Regula, G. Reinhart, J. Baruchel, et al.. In situ synchrotron based investigation of grain kinetics and defects during silicon crystal growth. EDS (Extended Defects in Semiconductors) 2016, Sep 2016, Les Issambres, France. ⟨hal-01452239⟩

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