Evaluating Young’s modulus in silicon nitrides via the refinement of the diffraction pattern from silicon strained by nitride lines - Aix-Marseille Université
Communication Dans Un Congrès Année : 2016

Evaluating Young’s modulus in silicon nitrides via the refinement of the diffraction pattern from silicon strained by nitride lines

Y. Ezzaidi
  • Fonction : Auteur
S. Escoubas
Institut des Matériaux, de Microélectronique et des Nanosciences de Provence
G. Gaudeau
  • Fonction : Auteur
D. Benoit
  • Fonction : Auteur
P. Morin
O. Thomas
  • Fonction : Auteur
Institut des Matériaux, de Microélectronique et des Nanosciences de Provence

Domaines

Micro et nanotechnologies/Microélectronique

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https://amu.hal.science/hal-01454833

Soumis le : vendredi 3 février 2017-09:40:00

Dernière modification le : lundi 10 juin 2024-16:58:03

Fichier non déposé

Dates et versions

hal-01454833 , version 1 (03-02-2017)

Identifiants

  • HAL Id : hal-01454833 , version 1

Citer

Y. Ezzaidi, S. Escoubas, G. Gaudeau, D. Benoit, P. Morin, et al.. Evaluating Young’s modulus in silicon nitrides via the refinement of the diffraction pattern from silicon strained by nitride lines. Advanced Metallization, MAM 2016, Mar 2016, Brussels, Belgium. ⟨hal-01454833⟩

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