Matériaux à Changement de Phase : Mécanisme de Transition amorphe – cristalline et influence de l’épaisseur, l’exemple du GeTe - Aix-Marseille Université
Communication Dans Un Congrès Année : 2017

Matériaux à Changement de Phase : Mécanisme de Transition amorphe – cristalline et influence de l’épaisseur, l’exemple du GeTe

M. Gallard
  • Fonction : Auteur
Mohamed Amara
CV
C. Mocuta
Magali Putero
Institut des Matériaux, de Microélectronique et des Nanosciences de Provence
S. Escoubas
Institut des Matériaux, de Microélectronique et des Nanosciences de Provence
C. Guichet
  • Fonction : Auteur
N. Burles
  • Fonction : Auteur
Marie-Ingrid Richard
Institut des Matériaux, de Microélectronique et des Nanosciences de Provence
CV
L. Fellouh
  • Fonction : Auteur
M. Bernard
  • Fonction : Auteur
R. Chahine
  • Fonction : Auteur
P. Kowalczyk
  • Fonction : Auteur
C. Sabbione
  • Fonction : Auteur
A. André
  • Fonction : Auteur
N. Bernier
  • Fonction : Auteur
A. Kolb
  • Fonction : Auteur
A. Brenac
R. Morel
F. Hippert
P. Noé
  • Fonction : Auteur
O. Thomas
  • Fonction : Auteur
Institut des Matériaux, de Microélectronique et des Nanosciences de Provence

Domaines

Micro et nanotechnologies/Microélectronique

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https://amu.hal.science/hal-01763098

Soumis le : mardi 10 avril 2018-17:07:44

Dernière modification le : lundi 10 juin 2024-16:58:03

Fichier non déposé

Dates et versions

hal-01763098 , version 1 (10-04-2018)

Identifiants

  • HAL Id : hal-01763098 , version 1

Citer

M. Gallard, Mohamed Amara, C. Mocuta, Magali Putero, S. Escoubas, et al.. Matériaux à Changement de Phase : Mécanisme de Transition amorphe – cristalline et influence de l’épaisseur, l’exemple du GeTe. Rayons X et Matière, RX2017 , Nov 2017, Lille, France. ⟨hal-01763098⟩

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