Article Dans Une Revue
Defect and Diffusion Forum
Année : 2012
Christophe Girardeaux : Connectez-vous pour contacter le contributeur
https://amu.hal.science/hal-02044910
Soumis le : jeudi 21 février 2019-16:51:51
Dernière modification le : mardi 18 juin 2024-14:20:04
Dates et versions
Identifiants
- HAL Id : hal-02044910 , version 1
Citer
Omar Abbes, Feng Xu, Alain Portavoce, Christophe Girardeaux, Khalid Hoummada, et al.. Effect of Mn Thickness on the Mn-Ge Phase Formation during Reactions of 50 nm and 210 nm Thick Mn Films Deposited on Ge (111) Substrate. Defect and Diffusion Forum, 2012, 323-325, pp.439-444. ⟨hal-02044910⟩
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