Article Dans Une Revue
IEEE Electron Device Letters
Année : 2001
Daniela Munteanu : Connectez-vous pour contacter le contributeur
https://amu.hal.science/hal-02132540
Soumis le : vendredi 17 mai 2019-11:33:47
Dernière modification le : mercredi 18 décembre 2024-10:11:24
Citer
A.M. Ionescu, Daniela Munteanu. A novel in-situ SOI characterization technique: the intrinsic point-probe MOSFET. IEEE Electron Device Letters, 2001, 22 (4), pp.166-169. ⟨10.1109/55.915601⟩. ⟨hal-02132540⟩
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