Phase formation during Mn thin film reaction with Ge: Self-aligned germanide process for spintronics - Aix-Marseille Université
Article Dans Une Revue Applied Physics Letters Année : 2013

Phase formation during Mn thin film reaction with Ge: Self-aligned germanide process for spintronics

Domaines

Science des matériaux [cond-mat.mtrl-sci]

Alain Portavoce  : Connectez-vous pour contacter le contributeur

https://amu.hal.science/hal-02385367

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Dates et versions

hal-02385367 , version 1 (28-11-2019)

Identifiants

Citer

O. Abbes, A. Portavoce, V. Le Thanh, C. Girardeaux, L. Michez. Phase formation during Mn thin film reaction with Ge: Self-aligned germanide process for spintronics. Applied Physics Letters, 2013, 103 (17), pp.172405. ⟨10.1063/1.4827100⟩. ⟨hal-02385367⟩

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