Article Dans Une Revue
Journal of Applied Physics
Année : 2008
Alain Portavoce : Connectez-vous pour contacter le contributeur
https://amu.hal.science/hal-02386156
Soumis le : vendredi 29 novembre 2019-11:04:32
Dernière modification le : lundi 10 juin 2024-16:58:03
Citer
A. Portavoce, G. Chai, L. Chow, J. Bernardini. Nanometric size effect on Ge diffusion in polycrystalline Si. Journal of Applied Physics, 2008, 104 (10), pp.104910. ⟨10.1063/1.3010297⟩. ⟨hal-02386156⟩
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