Article Dans Une Revue
Applied Physics Letters
Année : 2003
Alain Portavoce : Connectez-vous pour contacter le contributeur
https://amu.hal.science/hal-02386291
Soumis le : vendredi 29 novembre 2019-11:39:47
Dernière modification le : lundi 10 juin 2024-16:58:03
Citer
I. Berbezier, A. Ronda, A. Portavoce, N. Motta. Ge dots self-assembling: Surfactant mediated growth of Ge on SiGe (118) stress-induced kinetic instabilities. Applied Physics Letters, 2003, 83 (23), pp.4833-4835. ⟨10.1063/1.1633012⟩. ⟨hal-02386291⟩
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